課程資訊
課程名稱
奈米元件的製程與檢測技術
Fabrication and Characterization Techniques of Nanodevices 
開課學期
105-2 
授課對象
理學院  物理學研究所  
授課教師
林敏聰 
課號
Phys8101 
課程識別碼
222 D3240 
班次
 
學分
3.0 
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期四7,8,9(14:20~17:20) 
上課地點
新物618 
備註
總人數上限:30人 
Ceiba 課程網頁
http://ceiba.ntu.edu.tw/1052Phys8101_ 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
核心能力與課程規劃關聯圖
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

半導體製程依據摩爾定律之預測已經成熟發展約40年,元件尺寸從微米級元件到目前的奈米級元件,應用範圍更含括邏輯元件、記憶體元件、微機電元件、嵌入式元件以及目前之生醫元件等等。而先進的奈米製程技術以及先進機台為背後的主要推手。
此課程主要分為包括先進奈米元件介紹以及製程應用、半導體製程設備機台介紹、建測技術以及實務參訪。可學習到各製程步驟與製程設備的主要技術原理及重要的基礎觀念。有助學生日後投入半導體、光電或其他相關奈米元件等相關產業。
 

課程目標
本課程將與國家奈米元件實驗室合作。授課內容兼具基礎原理與實務知識。目前本課程也正在進行 NDL課程認證,作為未來學生參與NDL工作的先修課程。並搭配實務與參訪。
(1) 先進半導體元件介紹以及製程應用:可學習到目前各個半導體元件之原理、架構、以及所需的半導體製程。
(2) 半導體製程設備機台介紹:可學習到各製程步驟與製程設備的主要技術原理及重要的基礎觀念.
(3) 實務參訪:安排參訪國家奈米元件實驗室的新竹元件廠,實地參觀半導體元件之製作。
A. 簡介:積體電路製造與半導體元件
B. 製程整合與CMOS製程
C. 製程整合與微機電製程
D. 微影技術
E. 磊晶製程
F. 化學氣相沉積與氧化
G. 離子佈植與擴散
H. 後段金屬連線製程
I. 蝕刻技術與電漿
J. 材料分析技術
K. 無塵室介紹與奈米製程實驗室設備見習實作:微影
L. 半導體製程設備見習實作:物理氣相沉積與磊晶設備
參考書目:半導體製程技術導論 introduction to semiconductor manufacturing technology, Hong Xiao 著, 羅正忠、張鼎張譯 歐亞書局有限公司
其他參考資料與評分方式將於第一次上課公告。
 
課程要求
第一次上課公告。 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
指定閱讀
參考書目:半導體製程技術導論 introduction to semiconductor manufacturing technology, Hong Xiao 著, 羅正忠、張鼎張譯 全華圖書
其他參考資料與評分方式將於第一次上課公告。 
參考書目
參考書目:半導體製程技術導論 introduction to semiconductor manufacturing technology, Hong Xiao 著, 羅正忠、張鼎張譯 歐亞書局有限公司
其他參考資料與評分方式將於第一次上課公告。 
評量方式
(僅供參考)
   
課程進度
週次
日期
單元主題
第1週
2/23  課程簡介 林敏聰教授 
第2週
3/02  A. 積體電路製造與半導体元件 唐英瓚 博士 
第3週
3/09  C. 微影技術 陳俊淇 博士 
第4週
3/16  D. 蝕刻技術與電漿 薛富國 
第5週
3/23  B. 製程整合與CMOS製程 賴宇紳 博士 
第6週
3/30  E. 化學氣相沉積與氧化 藍彥文 
第7週
4/06  期中考週 暫停一次 
第8週
4/13  I. 磊晶製程 H. 製程整合與微機電製程 李愷信 博士 
第9週
4/20  G. 後段金屬連線製程 李美儀 
第10週
4/27  L. 半導體製程設備見習實作:物理氣相沉積與磊晶設備 
第11週
5/04  F. 離子佈植與擴散 賴東彥 
第12週
5/11  J. 材料分析技術 吳建霆 博士 
第13週
5/18  停課一次 
第14週
5/25  Special invited talk:
Semiconductor Memories on More Than Moore Developments
何家驊博士 
第15週
6/01  K. 無塵室介紹與奈米製程實驗室設備見習實作:微影 
第16週
6/08  M.半導體製程設備見習實作:蝕刻與CMP (NDL)
N.半導體製程設備見習實作:氧化擴散與濕式清洗 (NDL) 
第17週
6/15  期末考週